Samsung выпускает первые в мире 30-нм чипы памяти DDR3

Очередной виток эволюции на рынке оперативной памяти можно считать состоявшимся, благодаря усилиям компании Samsung Electronics. Как стало известно, Samsung представила первый в мире чип оперативной памяти DDR3 плотностью 2 Гбит, выполненный с использованием технологических норм 30 нанометров.

По словам пресс-службы южнокорейской компании, переход на 30-нанометровую технологию при изготовлении модулей DDR3 увеличит их быстродействие на 60% по сравнению с 40-нанометровыми чипами, а также удвоит рентабельность производства вдвое, если сравнивать таковую с 50/60-нанометровыми микросхемами.

Следует сказать, что 30-нанометровые чипы DRAM с плотностью 2 Гбит потребляют на 30% энергии меньше, чем их 50-нанометровые предки. Модули ОЗУ, выполненные с использованием 30 нм норм, получат широкое распространение в настольных компьютерах, ноутбуках, нетбуках, серверах, мобильных устройствах, а также в различной бытовой и автомобильной электронике. Массовое производство 30-нанометровых чипов памяти Samsung начнётся во второй половине этого года.