Новый тип энергонезависимой паяти от Intel и Numonyx

Корпорация Intel и компания Numonyx совершили прорыв в разработке Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле. Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и модули памяти со случайным доступом, которые будут обладать более высокой плотностью хранения данных, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.

В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои ячеек друг на друга позволяет увеличить плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать в качестве переключающего элемента тонкопленочный двухтерминальный OTS. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, создавая возможности для масштабирования.

Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают выполнение логических функций и преобразование сигналов. Сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, а сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи.