Intel и Micron разрабатывают 34-нм флэш-технологию 3X

Компании Intel и Micron сегодня объявили об объединении своих усилий для работы над развитием технологии, которая позволит создавать карты памяти и USB-диски с высокой плотностью записи. Производители чипов, совместно разрабатывающие флэш-накопители, сообщили о создании флэш-памяти NAND, основанной на 34-нанометровой технологии с возможностью записывать по 3 бита в каждую ячейку.

По сравнению со стандартными чипами, которые позволяют сохранять в ячейке 2 бита информации, на базе новой технологии можно будет создавать накопители с гораздо более высокой плотностью записи. Представители компании Micron заявили, что такие диски будут гораздо менее надежны, чем флэш-накопители, созданные по стандартной схеме, однако новая разработка на первых порах может найти применение в USB-накопителях, которые не требуют столь же высокой степени надежности, как твердотельные диски.

Стараниями специалистов совместного предприятия IM Flash Technologies уже создан один из наиболее экономически выгодных 32-гигабитных чипов площадью 126 мм². В настоящее время Micron разрабатывает опытные образцы чипов, массовое производство которых запланировано на последний квартал текущего года.

Разработки в области 3-битной флэш-памяти все же уступают совместному проекту компаний SanDisk и Toshiba, удерживающему рекорд по плотности записи. В феврале этого года они сообщили о создании технологии, при которой производится запись 4 битов информации в каждую ячейку памяти.