NXP создала транзистор с сопротивлением ниже 1 мОм

13 июля 2009, Баранова Светлана 0
NXP создала полевой MOП-транзистор с самым низким в мире значением RDSon.

Компания NXP Semiconductors выпускает первый в мире n-канальный 25-вольтовый полевой MOП-транзистор (MOSFET) PSMN1R2-25YL, который характеризуется самым низким значением RDSon (менее 1 мОм) и лучшим в классе показателем Figure of Merit.

NXP создала транзистор с сопротивлением ниже 1 мОм

Полевые МОП-транзисторы NXP PSMN1R2–25YL, изготовленные с использованием процесса Trench 6, обеспечивают сопротивление RDSon 0,9 мОм для конфигураций со средним напряжением 25 В в корпусе Power-S08 (LFPAK), и 1,0 мОм (среднее напряжение) для конфигураций с напряжением 30 В.

NXP создала транзистор с сопротивлением ниже 1 мОм

Помимо этого, NXP также представляет новую линейку продуктов для рынков источников питания, управления двигателями и промышленной электроники. Новые устройства с рабочим напряжением 25, 30, 40 и 80 В заключены в корпуса Power-S08 (LFPAK) и TO220.

Отзывы

0 Оставить отзыв

    Добавить отзыв

    загрузить другую
    Ваш отзыв

    Свежие новости раздела

    Все новости раздела

    Все свежие новости

    Все новости