Память на основе тонких листов графита может заменить флэш

Учёные из Rice University сообщили, что память на основе графина (graphene) – тонких листов графига, может быть в 5 раз более компактной и при этом потребляет значительно меньше энергии, чем флэш память. Дополнительно команда исследователей сообщила, что уже работает с 20 Кбайтными образцами и при этом не отметила каких-либо странностнй в поведении графиновой памяти.

Сама память создана из 10 нм ячеек, тогда как современная флэш память производится по 45 нм технологии. При этом битовые ячейки контроллируются только 2 терминалами, а не 3 – как это происходит в современных устройствах. Это не только упрощает дизайн устройств, но и позволяет создавать из них трёхмерные структуры. Графиновая память может работать в широком спектре температур: от -75 до 200 градусов по Цельсию без каких-либо изменений в производительности и записанной информации. Это позволяет применять графиновую память в очень горячих средах, например, на самом ядре процессора.

И одним из самых больших преимуществ новой памяти является то, что она устойчива к воздействию радиации. Что делает возможным её применение в экстремальных условиях, например, на космических кораблях или в ядерных устройствах.