Intel 3-D Tri-Gate – трехмерные транзисторы

Компания Intel планирует внедрить в процессоры Ivy Bridge, которые выйдут до конца нынешнего года, новую технологию Tri-Gate — транзисторы с трехмерной структурой. Новые чипы будут производиться по 22-нанометровому техпроцессу.

Транзисторы Intel 3-D Tri-Gate позволяют создавать процессоры, работающие на меньших значениях напряжения и с меньшими токами утечки, благодаря чему достигаются высокая энергоэффективность и значительный прирост скорости работы по сравнению с существующими чипами. Процессоры с новыми транзисторами могут потреблять менее половины мощности, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой, предлагая тот же уровень производительности. Это делает их идеальными для карманных устройств, которые ради экономии заряда батареи вынуждены постоянно переходить из одного режима энергопотребления в другой.

Использование трехмерных элементов вместо традиционных планарных снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток в закрытом, позволяя быстрее переключаться и повышая производительность. К тому же, транзисторы Tri-Gate обеспечивают более высокую плотность размещения логических элементов в микросхеме.

"На протяжении многих лет мы осознавали, что с уменьшением величины транзисторов в конечном счете упремся в определенный предел, — заявил Гордон Мур, один из основателей Intel и автор знаменитого закона Мура. — Преобразование базовой структуры — революционный подход, который позволяет следовать закону Мура".