Samsung готовит к выпуску 16 Гбайтные модули DDR3 RAM

Samsung сообщает, что она начинает опытные поставки 50 нм DDR3 модулей оперативной памяти, которые обладают лучшей энергоэффективностью, по сравнению с DDR2, и объём которых может быть расширен до 16 Гбайт на один модуль. Сейчас компания начинает поставлять опытные образцы 2 Гбайтных модулей, объём которых в два раза больше, чем обычно выпускаемые модули памяти предыдущего семейства, и на 40% энергоэкономичнее их. Также компания сообщает, что производство 2 Гбайтных модулей увеличивает на 60% суммарный объём, выпускаемых ею модулей памяти за заданный промежуток времени.

При этом Samsung говорит, что маленький форм фактор чипов, позволяет увеличить вместимость RIMM-модулей до 8 Гбайт и SODIMM-модулей, применяемых в ноутбуках, до 4 Гбайт, дополнительно при использовании двухкристалльной упаковки чипов можно достичь объёма одного модуля памяти для настольных компьютеров и серверных систем, равного 16 Гбайтам.

2 Гбайтные модули поддерживают скорости передачи данных 1,5 Гбита/с, при напряжениях 1,5 или 1,35 В. В продаже 2 Гбайтные модули оперативной памяти появяться позже в этом году и компания сообщает, что уже в 2009 году 2 Гбайтные модули станут стандартными для компьютеров среднего ценового уровня. Но 16 Гбайтные модули DDR3 памяти в следующем году, скорее всего, не станут общедоступными, ведь 8 Гбайтные DDR3 модули пока малодоступны и цена даже их DDR2 аналогов превосходит $1000.