Samsung начинает производство DDR NAND флеш-памяти

Компания Samsung Electronics запускает в серийное производство 32-гигабитную флеш-память NAND на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу с асинхронным DDR интерфейсом. Новая технология значительно увеличивает емкость и скорость чтения носителей памяти до 133 Мбит/сек, что значительно превосходит показатели SDR NAND чипов (40 Мбит/сек).

Новые асинхронные чипы памяти Samsung могут использоваться в твердотельных дисках (SSD), SD картах и собственной памяти Samsung moviNAND. В частности, планируется использовать во флэш-модулях microSD карт емкостью 8 Гбайт совместно с 3-битными NAND контроллерами Samsung.

Кроме того, новая память является идеальным решением для MP3 и медиаплееров, а также для автомобильных навигационных систем. При использовании нового решения DDR в картах памяти сигналы передачи данных дублируются, что позволяет достичь скорости чтения до 60 Мбит/сек. Это на 300% превосходит средний результат SDR NAND (17 Мбит/сек).