Samsung начала выпуск GDDR5 на базе 50 нм-техпроцесса.

Компания Samsung объявила о начале выпуска памяти GDDR5 на базе 50 нм-технологического процесса. "Начало выпуска памяти GDDR5 в начале 2009 года позволит компании удовлетворить растущий спрос на более высокопроизводительную графическую память для компьютеров, видеокарт и игровых консолей, – сказал Муиз Дин (Mueez Deen), руководитель подразделения Samsung Semiconductor по графической и мобильной памяти. – Большие возможности GDDR5 смогут увеличить производиетльность игровых платформ"

Память GDDR5 осуществляет поддержку максимальной скорости передачи данных – 7 Гбит/с. Это позволит создавать очень реалистичную 3D-графику с максимальной пропускной способностью 28 Гбайт/с — для сравнения пропускная способность GDDR4 - 12,8 Гбайт/с. Эта скорость эквивалентна передаче девятнадцати фильмов объемом 1,5 Гбайт в DVD-качестве за одну секунду. GDDR5 поддерживает форматы Blu-ray и Full HD. В отличие от GDDR4, которая обрабатывает данные и изображения при помощи технологии синхронизации стробирующих и тактовых импульсов (strobe-and-clock), скорость GDDR5 намного быстрее, потому что GDDR5 не синхронизирует свою работу с тактовыми импульсами.

В компании Samsung думают, что 50 нм-техпроцесс повысит эффективность производства в два раза по сравнению с 60 нм-техпроцессом. Для работы Samsung GDDR5 достаточно напряжения 1,35 В – то есть эта память потребляет на 20% меньше энергии, чем GDDR4 (которая потребляет 1,8 В). GDDR5 доступна в x32-конфигурации 32 Мбит, а также в x64-конфигурации 64 Мбит. Samsung  полагает, что уже в 2009 году GDDR5 займет более 20% рынка видеопамяти. Также в 2009 году компания планирует ввести 50 нм-техпроцесс в производство всей своей графической памяти.